国立研究開発法人物質・材料研究機構
未来のエネルギー効率を変えるダイヤモンド半導体装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
未来のエネルギー効率を変えるダイヤモンド半導体装置
本技術は、特にダイヤモンド半導体を用いたMIS型半導体装置とその製造方法に関するものです。ダイヤモンド半導体は、広いバンドギャップエネルギー、低い比誘電率、高い絶縁破壊電界強度、高いキャリア飽和速度、高い熱伝導率、高いキャリア移動度などを有しており、大電力動作、高速・高周波動作、高耐圧、高い熱限界を示します。水素終端のダイヤモンド半導体は、工程数を削減でき、高い品質を得やすい特徴があります。また、半導体ダイヤモンドの表面が水素終端されると、ダイヤモンド半導体の表面近傍に電気伝導領域が存在するようになり、p型の半導体になる可能性があります。
つまりは、ダイヤモンドを用いた半導体装置で、高効率なエネルギー利用と高速動作を実現します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業エネルギー業自動車業
- 高性能インバータの製造
- 高出力高周波増幅器の開発
- 大電力動作可能な電子デバイスの製造
ダイヤモンド半導体を用いたMIS型半導体装置は、高性能インバータの製造に活用できます。高速動作と高い熱限界を活かし、省エネルギーで効率的なインバータを製造することが可能です。
本技術は、高いキャリア移動度と大電力動作を利用して、高出力高周波増幅器の開発に活用できます。これにより、通信や放送の分野での信号伝達を高精度かつ効率的に行うことができます。
ダイヤモンド半導体は、大電力動作、高速・高周波動作、高耐圧、高い熱限界を示すため、これらの特性を活かして大電力動作可能な電子デバイスの製造に活用できます。これにより、エネルギー効率の高い電子デバイスを製造することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-166729 |
| 発明の名称 | ＭＩＳ型半導体装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2021-044460 |
| 登録番号 | 特許第0007373838号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です