日本放送協会
薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ
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薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ
本特許は、真空装置を使用せず、かつ半導体層にダメージを与えることなくソース電極およびドレイン電極を形成可能な薄膜トランジスタ（TFT）の製造方法に関する技術である（1頁要約参照）。本発明では、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、有機シラン化合物分散溶液を塗布して電極パターニング膜を形成する。その後、電極形成領域に親水化処理を施し、親水領域を形成する。続いて導電材料を分散させた電極形成用溶液を塗布すると、疎水効果と親水効果の差により、親水領域にのみ導電材料が集まりソース電極およびドレイン電極が形成される。これにより、従来必要だった真空プロセスを省略しつつ、半導体層を損傷させない電極形成が可能となる。
つまりは、表面の“濡れ性”を使って電極を自動形成。
AIによる特許活用案
おすすめ薄膜トランジスタTFT製造表面処理
- 印刷型電子デバイス製造
- フレキシブルディスプレイ基板
- ウェアラブル電子回路
インクジェットや塗布プロセスを活用した低コストTFT製造に応用する。
低温プロセスでの電極形成技術として柔軟基板デバイスに展開する。
簡易プロセスで作製可能なセンサーや小型回路基板製造に活用する。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 | ASK 実証実験 | ASK サンプル・プロトタイプ | ASK
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2021-017542 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2022-120569 |
| 登録番号 | 特許第7634381号 |
- サブスク
- 譲渡
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